IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR Comparación

Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256AL-107MBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y H5TC4G63AFR-PBR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,00 $5,91
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4 Gbit —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Velocidad de datos 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
Latencia CAS 13 11
Interfaz Parallel —
Encapsulado 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
Tipo de montaje Surface Mount —
Estado RoHS Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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