IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR 比較

詳細な並列比較: IS43TR16256AL-107MBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および H5TC4G63AFR-PBR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
ブランド ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.00 $5.91
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
データレート 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
CASレイテンシ 13 11
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
動作温度 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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