K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K3K8K80BM-MGCP von Samsung Electronics und K3LK8K80CM-MFCP von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ Aktiv
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K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K3K8K80BM-MGCP K3LK8K80CM-MFCP
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gb 48 Gbit (6 GB)
Speicherorganisation 2G x 32 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
Datenrate 6400 Mbps —
Schnittstelle LPDDR5 (CMOS) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
Gehäuse FBGA-315 (PBGA315) 315-ball FBGA (MFCP)
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
Betriebstemperatur -25C to +85C -40 C to +105 C (automotive-grade)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Memory Category Volatile DRAM —
RoHS-Status Compliant unknown
Lead Free Yes —
Application Class Specialized ICs / Memory —
I/O Width 32-bit —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
Versorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

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