K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP 비교

다음의 상세 나란히 비교: K3K8K80BM-MGCP 제조: Samsung Electronics 및 K3LK8K80CM-MFCP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ 활성
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K3K8K80BM-MGCP K3LK8K80CM-MFCP
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.00
메모리 유형 LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gb 48 Gbit (6 GB)
메모리 구성 2G x 32 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
데이터 속도 6400 Mbps —
인터페이스 LPDDR5 (CMOS) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
패키지 FBGA-315 (PBGA315) 315-ball FBGA (MFCP)
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
동작 온도 -25C to +85C -40 C to +105 C (automotive-grade)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Memory Category Volatile DRAM —
RoHS 상태 Compliant unknown
Lead Free Yes —
Application Class Specialized ICs / Memory —
I/O Width 32-bit —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
공급 전압 — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

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