K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics e K3LK8K80CM-MFCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ Ativo
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K3K8K80BM-MGCP K3LK8K80CM-MFCP
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gb 48 Gbit (6 GB)
Organização da memória 2G x 32 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
Taxa de dados 6400 Mbps —
Interface LPDDR5 (CMOS) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
Encapsulamento FBGA-315 (PBGA315) 315-ball FBGA (MFCP)
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
Temperatura de operação -25C to +85C -40 C to +105 C (automotive-grade)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Memory Category Volatile DRAM —
Status RoHS Compliant unknown
Lead Free Yes —
Application Class Specialized ICs / Memory —
I/O Width 32-bit —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

Fichas técnicas e recursos

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