K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparación
Comparación detallada lado a lado de K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics y K3LK8K80CM-MFCP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung
K3LK8K80CM-MFCP ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K3K8K80BM-MGCP | K3LK8K80CM-MFCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gb | 48 Gbit (6 GB) |
| Organización de memoria | 2G x 32 | [DATA_NEEDED: organization (x width)] |
| Velocidad de datos | 6400 Mbps | — |
| Interfaz | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) |
| Encapsulado | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA (MFCP) |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -25C to +85C | -40 C to +105 C (automotive-grade) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Estado RoHS | Compliant | unknown |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Pin Speed | — | 6400 Mbps |
| Data Rate (package) | — | 51.2 GB/s (family max) |
| Ball Count | — | 315 |
| Tensión de alimentación | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Power Saving vs LPDDR4X | — | Approximately 20% |
| Generation | — | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) |
| Application Grade | — | Automotive-grade storage chip |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia |