K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3K8K80BM-MGCP par Samsung Electronics et K3LK8K80CM-MFCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3K8K80BM-MGCP | K3LK8K80CM-MFCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gb | 48 Gbit (6 GB) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 32 | [DATA_NEEDED: organization (x width)] |
| Débit de données | 6400 Mbps | — |
| Interface | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) |
| Boîtier | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA (MFCP) |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -40 C to +105 C (automotive-grade) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant | unknown |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Pin Speed | — | 6400 Mbps |
| Data Rate (package) | — | 51.2 GB/s (family max) |
| Ball Count | — | 315 |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Power Saving vs LPDDR4X | — | Approximately 20% |
| Generation | — | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) |
| Application Grade | — | Automotive-grade storage chip |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia |