K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WF-BCWE von Samsung Electronics und K4A4G165WD-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $10,65 | $5,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Die Generation | Samsung F-die | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS-Status | Compliant (per JLCPCB listing) | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Schnittstellentyp | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |