K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WF-BCWE por Samsung Electronics e K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $10,65 | $5,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | — |
| Die Generation | Samsung F-die | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| Status RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Tipo de interface | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |