K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WF-BCWE por Samsung Electronics y K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $10,65 | $5,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel | — |
| Die Generation | Samsung F-die | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Tipo de interfaz | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |