K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A4G165WF-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ 生産中
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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WD-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $10.65 $5.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データレート 3200 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz —
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Access Time 19 ns —
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel —
Die Generation Samsung F-die —
Data Mask Supported (DM) —
ZQ Calibration Supported Yes
On-Die Termination Dynamic ODT supported —
CRC Supported —
Auto Precharge Supported Yes
Asynchronous Reset Supported —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing) Lead free / RoHS Compliant
Density — 4 Gbit
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Process Generation — Samsung D-die
インターフェースタイプ — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

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