K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G045WB-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BICR
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $4,25
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Schnittstelle CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Betriebstemperatur 0 C to 85 C —
Gehäuse 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS-Status Compliant Compliant
Datenrate — 2400 Mbps
Versorgungsspannung — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
Pin-Anzahl — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

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