K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BICR
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $4,25
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Интерфейс CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Рабочая температура 0 C to 85 C —
Корпус 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Статус RoHS Compliant Compliant
Скорость передачи данных — 2400 Mbps
Напряжение питания — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
Число выводов — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену