K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR 비교
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Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $4.25 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| 인터페이스 | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| 동작 온도 | 0 C to 85 C | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 데이터 속도 | — | 2400 Mbps |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| 핀 수 | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |