K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR 比較

詳細な並列比較: K4A8G045WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BICR メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BICR
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $4.25
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
インターフェース CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
動作温度 0 C to 85 C —
パッケージ 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS ステータス Compliant Compliant
データレート — 2400 Mbps
電源電圧 — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
ピン数 — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

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