K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G045WB von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G045WB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,27 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 4 | — |
| Datenrate | 2133 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| Betriebstemperatur | 0 C to +85 C | -40C to +95C |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Schnittstelle | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |