K4A8G045WB vs K4A8G165WB-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G045WB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ 生産中
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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G045WB K4A8G165WB-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.27 $12.57
メモリタイプ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
メモリ構成 2G x 4 —
データレート 2133 Mbps 2400 Mbps (PC4-19200)
電源電圧 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Max Supply Current 211.7 mA —
動作温度 0 C to +85 C -40C to +95C
パッケージ 78-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Refresh Cycles 8192 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) Yes (ODT with dynamic ODT)
Asynchronous Reset Yes Yes
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
メモリサイズ — 8 Gb (1 GB)
Memory Organization — 512M x 16
Technology — CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die
Ball Pitch — 0.8 mm
インターフェース — DDR4 (Double Data Rate, synchronous)
ZQ Calibration — Yes
CRC / CA Parity — Yes (CRC function)
Auto Precharge — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

データシート&リソース

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