K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCTD von Samsung Electronics und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (1G x 8) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| Gehäuse | FBGA-78 (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B96 |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| CAS-Latenz | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| RoHS | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |