K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCTD par Samsung Electronics et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (1G x 8) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B96 |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Latence CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |