K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NDJR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $35.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (1G x 8) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B96 |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| CAS 레이턴시 | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| RoHS | — | Compliant |
| 특징 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |