K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics e H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,50 | $35,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb (1G x 8) | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B96 |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Latência CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| RoHS | — | Compliant |
| Recursos | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |