K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics y H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,50 | $35,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (1G x 8) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B96 |
| Number of Terminals | 78 | 96 |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Latencia CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| RoHS | — | Compliant |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |