K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,96 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 (BL8) |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| RoHS-Status | — | Compliant |