K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BICH 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WB-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.96 | $7.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | — |
| 공급 전압 | 1.2V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |