K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,96 | $7,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Estado RoHS | — | Compliant |