K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BITD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,96 | $3,80 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | — | 78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| RoHS-Status | — | Compliant |