K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BICH メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BITD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BITD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.96 $3.80
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
電源電圧 1.2V 1.2 V
データレート 2400 Mbps (DDR4-2400) 2666 Mbps
パッケージ 78-ball FBGA 78FBGA
動作温度 0°C to 85°C -40°C to +95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 —
CASレイテンシ Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
実装タイプ — Surface Mount
ピン数 — 78
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
インターフェース — Parallel
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼