K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BICH 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BITD 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 量产中
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K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BITD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.96 $3.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
存储组织 1G x 8 1G x 8
电源电压 1.2V 1.2 V
数据速率 2400 Mbps (DDR4-2400) 2666 Mbps
封装 78-ball FBGA 78FBGA
工作温度 0°C to 85°C -40°C to +95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 —
CAS 延迟 Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
安装类型 — Surface Mount
引脚数 — 78
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
接口 — Parallel
RoHS 状态 — Compliant

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