K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,96 | $3,80 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Latence CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| Interface | — | Parallel |
| Statut RoHS | — | Compliant |