K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCWE von Samsung Electronics und K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,38 | $6,29 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | — |
| Gehäuse | 78FBGA | 78-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS-Status | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |