K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WC-BIWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.38 | $6.29 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | 78FBGA | 78-FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS 레이턴시 | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |