K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,38 | $6,29 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | — |
| Boîtier | 78FBGA | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |