K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCWE por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,38 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | — |
| Encapsulado | 78FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latencia CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |