K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.38 | $6.29 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | — |
| パッケージ | 78FBGA | 78-FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |