K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics und H5AN8G6NDJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,29 | $55,68 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS-Latenz | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |