K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BIWE от Samsung Electronics и H5AN8G6NDJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,29 | $55,68 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Интерфейс | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Задержка CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |