K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NDJR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.29 | $55.68 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |