K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics e H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,29 | $55,68 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latência CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |