K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $55,68 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |