K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $5,60 |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0°C ~ 95°C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichertyp | — | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Datenrate | — | 1600 Mbps |
| Lead-Free | — | Yes |