K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics y IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ ActivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCPB | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $5,60 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C ~ 95°C |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de memoria | — | SDRAM - DDR3L |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Velocidad de datos | — | 1600 Mbps |
| Lead-Free | — | Yes |