K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics e IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Ativo
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
Marca Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,30 $5,60
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 —
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
Tensão de alimentação 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Temperatura de operação 0°C to 85°C 0°C ~ 95°C
Encapsulamento 96-ball FBGA (TFBGA-96) 96-TWBGA (9x13mm)
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
Latência CAS Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh —
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de memória — SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória — 4Gbit (256M x 16)
Interface — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Tipo de montagem — Surface Mount
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Taxa de dados — 1600 Mbps
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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