K4A8G165WB-BCPB vs IS43TR16256AL-125KBL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics et IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Actif
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WB-BCPB IS43TR16256AL-125KBL
Marque Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,30 $5,60
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
Tension d'alimentation 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Température de fonctionnement 0°C to 85°C 0°C ~ 95°C
Boîtier 96-ball FBGA (TFBGA-96) 96-TWBGA (9x13mm)
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
Latence CAS Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh —
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de mémoire — SDRAM - DDR3L
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Interface — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Type de montage — Surface Mount
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Débit de données — 1600 Mbps
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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