K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und NT5CC256M16CP-DIB1 von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C (Tcase) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Datenrate | — | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |