K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および NT5CC256M16CP-DIB1 メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $6.00 |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | 0C to +95C (Tcase) |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| メモリタイプ | — | DDR3L SDRAM |
| データレート | — | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| RoHS | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |