K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 NT5CC256M16CP-DIB1 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.30 | $6.00 |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0C to +95C (Tcase) |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 메모리 유형 | — | DDR3L SDRAM |
| 데이터 속도 | — | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |