K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics et NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.35V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0C to +95C (Tcase) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Débit de données | — | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |