K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WG-BCWE von Samsung Electro-Mechanics und MT40A512M16JY-083E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electro-Mechanics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $29,53 | $5,85 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +85°C | — |
| Operating Current | 20 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 19 ns | — |
| Technology | B-die | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| Halogenfrei | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |