K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics e MT40A512M16JY-083E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16JY-083E
Marca Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $29,53 $5,85
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
Tamanho da memória 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps 2400 MT/s (speed grade -083E)
Tensão de alimentação 1.2 V —
Faixa de temperatura de operação 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Encapsulamento FBGA-96 96-FBGA (8 x 14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Status do ciclo de vida Active —
Density — 8 Gbit
Organização da memória — 512M x 16
Clock Frequency — 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
Livre de halogênio — Compliant
Country of Origin — China

Fichas técnicas e recursos

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