K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WG-BCWE par Samsung Electro-Mechanics et MT40A512M16JY-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16JY-083E
Marque Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $29,53 $5,85
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
Taille de mémoire 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps 2400 MT/s (speed grade -083E)
Tension d'alimentation 1.2 V —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (8 x 14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Statut du cycle de vie Active —
Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Clock Frequency — 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
Sans halogène — Compliant
Country of Origin — China

Fiches techniques et ressources

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